TSM1NB60SCT A3G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM1NB60SCT A3G

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM1NB60SCT A3G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92

المخزون:

12898138
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM1NB60SCT A3G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
138 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
TSM1NB60SCT A3GTB
TSM1NB60SCT A3GCT-DG
TSM1NB60SCT A3GTB-DG
TSM1NB60SCTA3GTB
TSM1NB60SCTA3GCT
TSM1NB60SCT A3GCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STQ2HNK60ZR-AP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
9835
DiGi رقم الجزء
STQ2HNK60ZR-AP-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMPH4029LFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

diodes

DMN24H3D5L-7

MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23

diodes

DMP210DUFB4-7B

MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN

diodes

DMN62D0UWQ-7

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323